4 Fabricantes de Sistemas de Grabado Por Plasma en 2024
Esta sección ofrece una visión general de los sistemas de grabado por plasma, así como de sus aplicaciones y principios. Consulte también la lista de 4 fabricantes de sistemas de grabado por plasma y su ranking empresarial.
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¿Qué es el Sistema de Grabado por Plasma?
El grabado por plasma se refiere a una técnica en la que utiliza un plasma de alto vacío para plastificar un gas en un recipiente al vacío, y la reacción química y los iones acelerados se utilizan para raspar y eliminar la película, y se considera un proceso típico de grabado en seco.
El término "seco" se utiliza porque el grabado seco no utiliza una solución química, mientras que el grabado húmedo utiliza una solución química.
El grabado por plasma se ha convertido en una tecnología esencial para la miniaturización y la alta integración de semiconductores debido a su superioridad en el grabado anisotrópico.
Sin embargo, los equipos más modernos requieren un control en unidades de varios 10 nm y, a pesar de ser equipos extremadamente caros, la necesidad de mantenerse constantemente al día con los últimos equipos en línea con los procesos de próxima generación es un problema importante.
Usos de los Equipos de Grabado por Plasma
Los sistemas de grabado por plasma se utilizan en los procesos de fabricación de semiconductores.
Generalmente se utilizan en resmas limpias. Especialmente a medida que avanza la miniaturización, los procesos de fabricación de semiconductores se llevan a cabo a distancia, sin intervención humana, ya que el nivel de polvo generado por la mera presencia de una persona con ropa limpia en las proximidades puede provocar errores.
Además, el grabado por plasma suele realizarse después del proceso fotográfico (aplicación de fotorresistencia, exposición y revelado con máscara), que, según el tipo de semiconductor, debe repetirse muchas veces para fabricar un solo producto.
Principio de los Equipos de Grabado por Plasma
Los nombres de los equipos difieren según el método utilizado para generar el plasma, e incluyen RIE (grabado iónico reactivo), ECR (resonancia de ciclotrón electrónico), ICP (método de plasma acoplado inductivamente) y CCP (método de plasma acoplado capacitivamente).
Tomando como ejemplo el RIE básico, la superficie de un sustrato de Si suele estar recubierta de SiO2, por lo que en el proceso de mordentado de este SiO2
Se prepara una mezcla de gas CF4 y Ar como gas de grabado y se genera plasma en la cámara de vacío (generación de iones CFx+ o Ar+).
A continuación, se carga la oblea y los iones CFx+ y Ar+ generados colisionan con la superficie de SiO2, rompiendo los enlaces moleculares de SiO2.
En este momento, parte de la energía cinética de la colisión se convierte en energía térmica, lo que acelera aún más la reacción (reacción asistida por iones).
Como resultado, se desorben sustancias volátiles como el SiF4 y el CO y se produce el grabado, cuya dirección depende de la dirección de incidencia de los iones, lo que hace posible el grabado anisótropo.
Además, como los gases y las mezclas de gases eficaces difieren naturalmente en función de la sustancia que se vaya a grabar, encontrar un gas que actúe como catalizador para aumentar la anisotropía en particular es una cuestión importante para mejorar la precisión del proceso.
Lista de 4 fabricantes de Sistemas de Grabado Por Plasma
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