1 Fabricantes de Implantadores de Iones en 2024

¿Qué es un Implantador de Iones?

Los implantadores de iones se utilizan para cambiar las propiedades de una sustancia implantada mediante la implantación de una sustancia ionizada en otra sustancia.

Se utiliza principalmente en el proceso de fabricación de semiconductores para implantar impurezas. El equipo es muy grande, ya que acelera los iones desde la sección de extracción de iones y los irradia en forma de haz de iones sobre la oblea de silicio objetivo.

Se implantan distintos tipos de iones en función del tipo de semiconductor que se vaya a fabricar para el que se utilice el implantador de iones.

Aplicaciones de los Implantadores de Iones

Los implantadores de iones se utilizan en el proceso de implantación de impurezas en el proceso de fabricación de semiconductores.

El proceso de implantación de impurezas es un proceso posterior al grabado, etc., para representar un circuito, y cuando se añaden regiones como la fuente y el drenaje a esa parte del circuito, la fuente y el drenaje se crean implantando iones en esa zona.

Los distintos dispositivos suelen admitir diferentes energías de haces de iones, y la elección adecuada debe hacerse en función de las condiciones de implantación de iones utilizadas. El equipo está sometido a temperaturas muy elevadas durante su funcionamiento y requiere un entorno muy limpio.

Principio de los Implantadores de Iones

Esta sección describe el principio de funcionamiento de los implantadores de iones. El implantador de iones consta de una fuente de iones, un analizador, una rendija, un acelerador de iones, un polarizador, una lente y una platina de oblea de silicio.

Durante el funcionamiento, el fósforo, el boro, el arsénico y otros elementos se introducen en la fuente de iones para generar iones, que luego se ionizan. Los iones se extraen de la fuente de iones y se clasifican por masa y carga mediante fuerzas de Lorentz en la sección de análisis y la rendija, y sólo se seleccionan los mejores iones para la implantación iónica.

A continuación, los iones se aceleran en la sección de aceleración de iones mediante la aplicación de una fuerza eléctrica a los iones hasta que alcanzan la energía de iones objetivo para la implantación de iones.

Los iones acelerados hasta alcanzar la energía objetivo se dirigen mediante un polarizador y se procesan mediante una lente para formar un haz.

Por último, el haz se irradia hasta la posición deseada en la oblea de silicio. La oblea de silicio se desplaza con precisión mediante una platina hasta la posición en la que debe irradiarse el haz.